BEAN - nowe materiały zmiennofazowe
20 września 2010, 17:37Dzięki współpracy Lawrence Berkeley National Laboratory oraz University of California, Berkeley, powstała nowa klasa materiałów zmiennofazowych. Tego typu materiały, dzięki możliwości zmiany faz pomiędzy stanem krystalicznym a amorficznym, świetnie nadają się do produkcji tanich, nieulotnych, energooszczędnych układów pamięci.
Zmiennofazowy przełom Intela i Numonyksa
29 października 2009, 11:07Intel i Numonyx poinformowały o dokonaniu przełomu w technologii pamięci zmiennofazowych (PCM). Obie firmy pokazały testowy 64-megabitowy układ, w którym udało się umieścić liczne warstwy PCM na pojedynczej podstawce.
Niepokonane HDD
28 października 2009, 12:07Były wiceprezes ds. badawczych w Seagate Technology, profesor Mark Kryder z Carnegie Mellon Univeristy, założyciel Data Storage System Center oraz jego student Chang Soo Kim przeprowadzili studium nt. przyszłości technologii przechowywania danych. W jego ramach przebadali 13 nieulotnych technologii przechowywania informacji, które są postrzegane jako możliwi następcy dysków twardych (HDD).
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Samsung rozpocznie produkcję układów PRAM
5 maja 2009, 10:57W czerwcu Samsung Electronics rozpocznie masową produkcję pamięci PRAM (phase change RAM). Układy PRAM to zmiennofazowe kości RAM.
Zmiennofazowy magnetyt
19 grudnia 2007, 13:15Fizycy z Rice University odkryli nowe właściwości w jednym z najlepiej znanych i zbadanych przez człowieka minerałów – magnetycie. Po schłodzeniu do temperatury niższej niż -157 stopni Celsjusza magnetyt z izolatora zmienił się w przewodnik.
IBM pracuje nad pamięciami nowej generacji
20 sierpnia 2007, 10:03IBM i TDK wspólnie pracują nad nowym rodzajem pamięci nieulotnej o nazwie spin torque transfer RAM (STT-RAM). Jednocześnie IBM przyznał, że nie widzi przyszłości przed technologią MRAM, nad którą dotychczas pracował.
Intel pokaże pamięci PRAM
16 kwietnia 2007, 10:10Justin Rattner, główny technolog Intela, ma dokonać w bieżącym tygodniu pierwszej publicznej demonstracji działania intelowskich pamięci zmiennofazowych (PRAM – phase-change RAM). Pokaz będzie miał miejsce podczas odbywającego się właśnie Intel Developer Forum (IDF).
Samsung zaprezentował pamięci PRAM
11 września 2006, 10:54Samsung Electronics pokazał nowy typ układów pamięci, które mają działać szybciej od obecnie stosowanych kości flash. Zmiennofazowe układy RAM (PRAM - phase-change random access memory) to pamięci nieulotne, co oznacza, że przechowywane w nich informacje nie zostają utracone po odłączeniu zasilania.
Wspólne pamięci zmiennofazowe Intela i ST
10 czerwca 2006, 19:27Intel i STMicroelectronics NV ogłosiły, że połączą swoje siły w pracach nad pamięciami zmiennofazowymi. Tego typu nieulotne rodzaje pamięci mają w przyszłości zastąpić wykorzystywane obecnie układy typu flash.
